Nanoelectronics Robot Research

contoh gambar dari nanoelectronics

Nanoelectronics Robot Research

Ilmu pengetahuan ialah salah satu perihal yang sangat mahal serta berarti dunia ini tidak terkecuali dengan ilmu robotika. Robotika ialah salah satu canbang teknologi yang berkutat di dunia robot serta AI. Tidak cuma itu ilmu robotika pula mempunyai banyak cabang di antara lain terdapat yang Bernama Nanoelectronics.

Penafsiran Serta Definisi

contoh gambar dari nanoelectronics

Nanoelectronics atau Nanoelektronik mengacu pada pemakaian nanoteknologi dalam komponen elektronik. Sebutan ini mencakup seperangkat fitur serta bahan yang bermacam- macam, dengan ciri universal kalau mereka sangat kecil sehingga interaksi antar atom serta watak mekanika kuantum butuh di pelajari secara ekstensif. Sebagian kandidat ini meliputi: elektronik molekuler/ semikonduktor hibrid, tabung nano/ kawat nano satu ukuran( misalnya kawat nano silikon ataupun tabung nano karbon) ataupun elektronik molekuler mutahir.

Fitur nanoelektronik mempunyai dimensi kisaran antara 1 nm serta 100 nm. Generasi teknologi MOSFET silikon( metal- oxide- semiconductor field- effect transistor, ataupun transistor MOS) baru- baru ini telah terdapat dalam rezim ini, tercantum node 22 nanometer CMOS( MOS komplementer) serta 14 nm, 10 nm, serta 7 nm FinFET( bidang sirip- transistor dampak) generasi. Nanoelektronik terkadang di anggap selaku teknologi yang mengusik sebab kandidat yang terdapat sangat berbeda dari transistor tradisional.

Sejarah Nanoelectronics

Transistor logam nanolayer- base di usulkan serta di demonstrasikan oleh A. Rose pada tahun 1960, serta oleh Atalla, Kahng serta Geppert pada tahun 1962. Dalam karya perintisan mereka tahun 1962, Geppert, Atalla serta Kahng membuat transistor persimpangan semikonduktor- logam berbasis nanolayer yang di pakai film tipis emas( Angkatan udara(AU)) dengan ketebalan 10 nm. Pada tahun 1987, regu periset IBM yang di pimpin oleh Bijan Davari mendemonstrasikan transistor dampak medan semikonduktor logam- oksida( MOSFET) dengan ketebalan gerbang oksida 10 nm, memakai teknologi gerbang tungsten.

FinFET berasal dari transistor DELTA yang di kembangkan oleh Digh Hisamoto dari Hitachi Central Research Laboratory, Toru Kaga, Yoshifumi Kawamoto serta Eiji Takeda pada tahun 1989. Pada tahun 1997, DARPA membagikan kontrak kepada kelompok studi di UC Berkeley buat meningkatkan transistor DELTA sub- mikron dalam. Kelompok ini terdiri dari Hisamoto bersama dengan TSMC Chenming Hu serta periset internasional yang lain tercantum Tsu- Jae King Liu, Jeffrey Bokor, Hideki Takeuchi, K. Asano, Jakub Kedziersk, Xuejue Huang, Leland Chang, Nick Lindert, Shibly Ahmed serta Cyrus Tabery. Regu sukses membuat fitur FinFET sampai proses 17 nm pada tahun 1998, serta setelah itu 15 nm pada tahun 2001. Pada tahun 2002, suatu regu tercantum Yu, Chang, Ahmed, Hu, Liu, Bokor serta Tabery membuat fitur FinFET 10 nm.

 

jika kalian ingin kursus atau juga les robotic kalian bisa kunjungi https://sariteknologi.com/

Jika kalian membutuhkan sparepart robot bisa kunjungi https://sariteknologi.com/product-category/ atau juga https://www.tokopedia.com/sariteknologi

alamat Sari Teknologi :  Lt. 6 Gedung Universitas Gunadarma Jl. Raya Outer Ringroad Blok C7 No. 20, Komplek, Jl. Taman Palem Mutiara, Daerah Khusus Ibukota Jakarta 11730

No Responses

Tinggalkan Balasan

Alamat email Anda tidak akan dipublikasikan.